9icnet为您提供由其他公司设计和生产的FDPF12N35，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDPF12N35参考价格为0.53000美元。其他FDPF12N35封装/规格：MOSFET N-CH 350V 12A TO220F。您可以下载FDPF12N35英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDPF10N60ZUT是MOSFET N-CH 600V TO-220F-3，包括管封装，它们设计用于单位重量为0.080072盎司的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为42W，器件在60ns的下降时间内提供，器件具有40ns的上升时间，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为9A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅-源极阈值电压为5V，Rds漏极源极电阻为650mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为95ns，典型接通延迟时间为25ns，Qg栅极电荷为31nC，正向跨导Min为12.5S。
FDPF10N60NZFDPF12N60NZ，带有用户指南，包括5V Vgs栅源阈值电压，它们设计用于25 V Vgs栅-源电压，Vds漏-源击穿电压显示在数据表注释中，用于600 V，提供单位重量功能，如0.080072盎司，晶体管类型设计用于1 N沟道，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，上升时间为50ns，器件提供640 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有23nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为38W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏极电流为10A，正向跨导最小值为14S，下降时间为50ns。
FDPF10N60ZU，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDPF10N60ZU提供TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 600V TO-220F-3。
