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CSD17483F4是MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR，包括NexFET？系列，它们设计用于替代封装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供FemtoFET等商标功能，封装外壳设计用于3-XFDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的3-PICOSTAR，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为500mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为190pF@15V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为1.5A（Ta），最大Id Vgs的Rds为240mOhm@500mA，8V，Vgs的最大Id为1.1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为1.3nC@4.5V，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3.4 ns，上升时间为1.3ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为5A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs第栅极-源阈值电压为850mV，Rds导通漏极-漏极电阻为260mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为10.6ns，典型导通延迟时间为3.3ns，Qg栅极电荷为1.01nC，正向跨导Min为2.4S。
CSD17484F4是MOSFET 30V N-Ch FemtoFET MOSFET，包括650 mV Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在12 V Vgs栅极源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供典型的开启延迟时间功能，如3 ns，典型的关闭延迟时间设计为11 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为CSD17484F4系列，该器件的上升时间为1 ns，漏极-源极电阻Rds为270 mOhms，Qg栅极电荷为920 pC，Pd功耗为500 mW，封装为卷轴式，封装盒为LGA-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为3A，正向跨导最小值为4 S，下降时间为4 ns，配置为单一，信道模式为增强。
CSD17483F4T是MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR，包括1.5A（Ta）电流连续漏极Id 25°C，设计用于30V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了标准中使用的FET特性，该标准提供了FET类型特性，如MOSFET N沟道、金属氧化物、栅极电荷Qg Vgs，除了190pF@15V输入电容Ciss Vds之外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用3-XFDFN封装盒，该器件具有Digi-ReelR交替封装，功率最大为500mW，Rds On Max Id Vgs为240mOhm@500mA，8V，系列为FemtoFET？，供应商设备包为3-PICOSTAR，Vgs th Max Id为1.1V@250μA。
