9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSO203SP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSO203SP参考价格为0.36000美元。Infineon Technologies BSO203SP封装/规格：P通道功率MOSFET。您可以下载BSO203SP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如BSO203SP价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
BSO203P H是MOSFET P-Ch-20V-8.2A DSO-8 OptiMOS P，包括OptiMOS P系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于BSO203PHXT BSO203PH XUMA1 SP000613858，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于OptiMOS，以及DSO-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为2信道，该器件采用双配置，该器件具有2个晶体管型P信道，Pd功耗为2 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为74 ns，上升时间为55 ns，Vgs栅源电压为12 V，Id连续漏极电流为-8.2A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为21mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为16ns，Qg栅极电荷为-26nC，正向跨导最小值为33S，沟道模式为增强。
BSO203PHXUMA1是MOSFET 2P-CH 20V 7A 8DSO，包括1.2V@100μ？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如21 mOhm@8.2A，4.5V，Power Max设计为1.6W，以及Digi-ReelR Alternative Packaging Packaging，该器件也可作为8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有3750pF@15V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为39nC@4.5V，FET类型为2 P沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为7A。
带有电路图的BSO203PNTMA1，包括8.2A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在48.6nC@4.5V下工作，以及2242pF@15V输入电容Cis Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，该器件具有封装切割带（CT），最大功率为2W，最大Id Vgs的Rds为21mOhm@8.2A，4.5V，系列为OptiMOS？，供应商器件封装为P-DSO-8，Vgs最大Id为1.2V@100μa。
