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CSD23381F4是MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商标功能，包装箱设计为在3-XFDFN和Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供1通道数量的通道，器件具有供应商器件封装的3-PICOSTAR，配置为单通道，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为500mW，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为12V，输入电容Ciss Vds为236pF@6V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2.3A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为175mOhm@500mA，4.5V，Vgs最大Id为1.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为1.14nC@4.5V，Pd功耗为500mW，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为7 ns，上升时间为3.9 ns，Vgs栅极-源极电压为-8 V，Id连续漏极电流为-2.3 A，Vds漏极-源极击穿电压为-12 V，Vgs栅-源极阈值电压为-950 mV，Rds漏极源极电阻为175 mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为18ns，典型接通延迟时间为4.5ns，Qg栅极电荷为1.14nC，正向跨导Min为2S。
CSD23203WT是MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA，包括-0.8 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在-6 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-8 V，提供单位重量功能，如0.000060 oz，典型开启延迟时间设计为14 ns，该器件还可以用作P沟道晶体管极性。此外，商品名为NexFET，该器件采用Si技术，该器件具有CSD23203W系列，上升时间为12ns，漏极-源极电阻Rds为16.2mOhms，Qg栅极电荷为4.9nC，包装为卷轴式，封装盒为DSBGA-6，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55℃，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为-3A，下降时间为27ns。
CSD23280F3是MOSFET 12 V P沟道FemtoFET MOSFET 3-PICOSTAR-55至150，包括卷筒封装，它们设计为与CSD23280F2系列一起工作。数据表注释中显示了用于Si的技术。
