9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTMD2P01R2，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NTMD2P01R2参考价格为1.266美元。onsemi NTMD2P01R2封装/规格：MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC。您可以下载NTMD2P01R2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NTMD2C02R2G是MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC，它们设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件提供1100pF@10V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为5.2A，3.4A，最大Id Vgs的Rds为43 mOhm@4A，4.5V，Vgs最大Id为1.2V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为20nC@4.5V。
NTMD2C02R2SG是MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC，包括1.2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-SOIC供应商器件封装一起工作，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于43 mOhm@4A，4.5V，提供2W等功率最大功能，封装设计为在磁带和卷轴（TR）中工作，以及8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）此外，安装类型为表面安装，该器件提供1100pF@10V输入电容Ciss Vds，该器件具有20nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为N和P通道，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C电流连续漏极Id为5.2A，3.4A。
NTMD2P01G，带有ON制造的电路图。NTMD2P01 G以SOP-8封装形式提供，是IC芯片的一部分。
