9icnet为您提供由Micro Commercial Co设计和生产的SI3420A-TP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3420A-TP参考价格为0.38000美元。Micro Commercial Co SI3420A-TP封装/规格：MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23。您可以下载SI3420A-TP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI3410DV-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP，包括卷轴封装，它们设计用于SI3410DV GE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于TSOP-6，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有2 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为9 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为7.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为19.5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为21ns，Qg栅极电荷为21.8nC。
Si3407DV-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供晶体管类型功能，如1个P沟道，晶体管极性设计为在P沟道中工作，以及Si技术，该器件也可以用作24毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为2 W，该器件以SI3407DV-GE3零件别名提供，该器件具有一卷封装，封装盒为TSOP-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为7.5 a，配置为单一。
SI3410DV，带有VISHAY制造的电路图。SI3410DV在TSOP6封装中提供，是FET的一部分-单个。
SI3410DV-T1-E3是由VISHAY/SILICONIX制造的MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP。SI3410DV-T1-E3采用SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP、N沟道30V 8A（Tc）2W（Ta）、4.1W（Tc）表面安装6-TSOP和Trans MOSFET N-CH30V 7.5A 6-Pin TSOP T/R。
