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MRF6S19100HSR5

  • 描述:晶体管类别: LDMOS 额定电压: 68 V 频率: 1.99GHz 输出端功率: 22W 供应商设备包装: NI-780S
  • 品牌: 恩智浦 (NXP)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥1,040.24703
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1,040.25
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 过时的
  • 晶体管类别 LDMOS
  • 电压检测值 28伏
  • 噪声系数 -
  • 制造厂商 恩智浦 (NXP)
  • 额定电流(单位:安培) -
  • 额定电压 68 V
  • 包装/外壳 NI-780S
  • 供应商设备包装 NI-780S
  • 增益 16.1分贝
  • 电流检测值 900 mA
  • 频率 1.99GHz
  • 输出端功率 22W
  • 色彩/颜色 不锈钢

MRF6S19100HSR5 产品详情

MRF6S19100HR3和MRF6S1910HSR3设计用于频率从1930到1990 MHz的N–CDMA基站应用。适用于TDMA、CDMA和多载波放大器应用。用于PCN–PCS/蜂窝无线电和WLL应用的AB类。

特色

  • 典型的2载波N–CDMA性能:VDD=28伏,IDQ=900 mA,Pout=22瓦平均值,f=1987 MHz,IS–95(导频、同步、寻呼、业务代码8至13)信道带宽=1.2288 MHz。CCDF上的标准杆数=9.8 dB@0.01%概率。功率增益:16.1 dB漏极效率:28%IM3@2.5 MHz偏移:1.2288 MHz信道带宽ACPR@885 kHz偏移:–37 dBc@30 kHz信道带宽
  • 能够处理10:1 VSWR,@28 Vdc,1960 MHz,100 W CW输出功率
  • 用串联等效大信号阻抗参数表征
  • 内部匹配,便于使用
  • 最多32 VDD操作合格
  • 集成ESD保护
  • 专为低内存效应和宽瞬时带宽应用而设计
  • 符合RoHS
  • 在磁带和卷轴中。R3后缀=每56 mm、13英寸卷筒250个单位。
MRF6S19100HSR5所属分类:场效应射频晶体管,MRF6S19100HSR5 由 恩智浦 (NXP) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MRF6S19100HSR5价格参考¥1040.247027,你可以下载 MRF6S19100HSR5中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MRF6S19100HSR5规格参数、现货库存、封装信息等信息!

恩智浦 (NXP)

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NXP Semiconductors是一家领先的嵌入式控制器供应商,为汽车、无线连接等多个行业提供广泛的MCU产品组合,包括基于Arm的处理器和微控制器。他们继续推动创新,为工业和汽车应用提供强大的电源...

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