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STU7NF25

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 72W (Tc) 供应商设备包装: TO-251 (IPAK) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 15.71709 15.71709
10+ 14.14538 141.45384
100+ 11.36990 1136.99040
500+ 9.34160 4670.80150
1000+ 8.49230 8492.30000
  • 库存: 1894
  • 单价: ¥15.71709
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥15.72
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规格参数

  • 高度(英寸) -
  • 长(英寸) -
  • 宽(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 TO-251-3短引线,IPak,TO-251AA
  • 漏源电压标 (Vdss) 250伏
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 8A (Tc)
  • 供应商设备包装 TO-251 (IPAK)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 16 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 500 pF @ 25 V
  • 最大功耗 72W (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 420毫欧姆 @ 4A, 10V
  • 色彩/颜色 -

STU7NF25 产品详情

该功率MOSFET是使用STMicroelectronics独特的STripFET工艺开发的,该工艺专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。这使得该器件适合用作电信和计算机应用以及具有低栅极电荷驱动要求的应用的高级高效隔离DC-DC转换器中的主开关。

特色

  • 100%雪崩测试
  • 175°C交界温度
STU7NF25所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STU7NF25 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STU7NF25价格参考¥15.717093,你可以下载 STU7NF25中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STU7NF25规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

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