9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STI260N6F6，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STI260N6F6参考价格为5.56000美元。STMicroelectronics STI260N6F6封装/规格：MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK。您可以下载STI260N6F6英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STI24N60M2是MOSFET N-Ch 600 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M2，包括MDmesh M2系列，它们设计用于管式包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于MDmesh，以及I2PAK-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为150 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为9 ns，Vgs栅源电压为25 V，Id连续漏极电流为18A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为168mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为14ns，Qg栅极电荷为29nC，沟道模式为增强。
STI24NM60N是MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II MOS，包括600 V Vds漏极-源极击穿电压，其设计工作单位重量为0.050717 oz。数据表中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，其提供了晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si以及N沟道Mdmesh系列，该器件也可以用作168毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，包装为管式，设备采用I2PAK-3封装盒，设备具有1个通道数，安装方式为通孔，Id连续漏电流为17A。
STI23NM60ND是由ST制造的MOSFET N-CH 600V 19.5A I2PAK。STI23NM60 ND可提供TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH600V 19.5A 12PAK、N通道600V 19.5A（Tc）150W（Tc。
