9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STFI15NM65N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STFI15NM65N价格参考2.51000美元。STMicroelectronics STFI15NM65N封装/规格：MOSFET N-CH 650V 12A I2PAKFP。您可以下载STFI15NM65N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STFI15N65M5带有引脚细节，包括MDmesh M5系列，它们设计用于管式封装，安装样式如数据表注释所示，用于通孔，提供MDmesh等商品名功能，包装盒设计用于I2PAKFP-3以及Si技术，该设备也可作为1信道数信道使用。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有25W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为8 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为11 a，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds漏极源极导通电阻为308mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为22nC，沟道模式为增强。
带用户指南的STFI15N60M2-EP，包括2 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-25 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供典型的开启延迟时间功能，如11 ns，典型的关闭延迟时间设计为40 ns，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为10ns，器件的漏极-源极电阻为378mOhms Rds，器件的Qg栅极电荷为17nC，Pd功耗为25W，封装外壳为I2PAKFP-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为11 A，下降时间为15 ns，配置为单一，通道模式为增强。
STFI13NM60N是MOSFET N-Ch 600V 0.28 Ohm 11A MDmesh II，包括11 A Id连续漏极电流，其最大工作温度范围为+150 C。数据表说明中显示了用于通孔的安装方式，该通孔提供了多个通道功能，如1个通道，封装外壳设计用于I2PAKFP-3，以及管封装，该器件也可以用作25W Pd功率耗散。此外，Rds漏极-源极电阻为360mOhm，该器件采用N沟道MDmesh系列，该器件具有技术硅，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，Vds漏极源极击穿电压为600V。
STFI14N80K5采用ST.制造的EDA/CAD模型，是IC芯片的一部分，N沟道800V 12A（Tc）30W（Tc）通孔I2PAKFP（TO-281），Trans-MOSFET N-CH 800V 12B 3引脚（3+Tab）I2PAKF管。
