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STP315N10F7是MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB？，STripFET？VII系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.011640盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-220-3，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-220，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为315W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为12800pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为180A（Tc），最大Id Vgs的Rds为2.7mOhm@60A，10V，Vgs的最大Id为4.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为180nC@10V，Pd功耗为315 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为40 ns，上升时间为108ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为180A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，第Vgs栅极源极阈值电压为3.5V，Rds导通-源极电阻为2.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为148ns，典型导通延迟时间为62ns，Qg栅极电荷为180nC。
STP31N65M5是MOSFET N-CH 650V 22A TO-220，包括650 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.011640 oz单位重量运行。晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性。系列设计用于N沟道MDmesh，以及148 mOhms Rds漏极源极电阻，该器件也可以用作150W Pd功率耗散。此外，包装为管式，设备采用TO-220-3包装盒，设备具有安装式通孔，Id连续漏电流为22A。
STP32N06L带有ST制造的电路图。STP32N06 L采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
