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STB80NF55-06T4是MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK，包括STripFET？II系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件包的D2PAK，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为300W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为55V，输入电容Cis-Vds为4400pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为80A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为6.5mOhm@40A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为189nC@10V，Pd功耗为300W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为65 ns，上升时间为155ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Rds导通漏极-漏极电阻为6.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为125ns，典型导通延迟时间为27ns，正向跨导最小值为150S，信道模式是增强。
STB80NF55-08T4是MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在55 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如25 ns，典型的关闭延迟时间设计为70 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N沟道STripFET系列，该器件具有85 ns的上升时间，漏极电阻Rds为8 mOhms，Pd功耗为300 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为80 A，正向跨导最小值为40 S，下降时间为25 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STB80NF55L-06T4是由ST制造的“MOSFET N-Ch”。STB80N55L-06T4可在D2PAK封装中获得，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET N-Ch、N沟道55V 80A（Tc）300W（Tc）表面安装D2PAK、Trans MOSFET N-Ch 55V 80B 3引脚（2+Tab）D2PAK T/R、MOSFET N-Ch、55V-0.005欧姆80A”。
