9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STW15NM60ND，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STW15NM60ND价格参考6.57000美元。STMicroelectronics STW15NM60ND封装/规格：MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3。您可以下载STW15NM60ND英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STW15NK90Z是MOSFET N-CH 900V 15A TO-247，包括SuperMESH？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-247-3，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-247-3，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为350W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为900V，输入电容Cis-Vds为6100pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为15A（Tc），最大Id Vgs的Rds为550 mOhm@7.5A，10V，Vgs的最大Id为4.5V@150μA，栅极电荷Qg Vgs为256nC@10V，Pd功耗为350W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为35 ns，上升时间为27ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为15A，Vds漏极-源极击穿电压为900V，Rds导通漏极-漏极电阻为550mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为135ns，典型接通延迟时间为42ns，Qg栅极电荷为190nC，信道模式是增强。
STW15NK50Z是MOSFET N-CH 500V 14A TO-247，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如20 ns，典型的关闭延迟时间设计为62 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N通道MDmesh系列，该器件具有23 ns的上升时间，漏极电阻Rds为340 mOhms，Pd功耗为160 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为14A，正向跨导最小值为12S，下降时间为15ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STW15NM60N是由ST制造的MOSFET N-CH 600V 14A TO-247。STW15NM60N以TO-247-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH600V 14A TO-247、N沟道600V 14A（Tc）125W（Tc。
