这些器件是使用新一代MDmesh M2技术开发的N沟道功率MOSFET。由于其条形布局和改进的垂直结构,该器件具有低导通电阻和优化的开关特性,使其适合于要求最高的高效率转换器。
特色
- 极低门电荷
- 卓越的输出容量COSP文件
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 48.74471 | 48.74471 |
10+ | 44.06580 | 440.65804 |
100+ | 36.48248 | 3648.24870 |
500+ | 32.60666 | 16303.33350 |
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
这些器件是使用新一代MDmesh M2技术开发的N沟道功率MOSFET。由于其条形布局和改进的垂直结构,该器件具有低导通电阻和优化的开关特性,使其适合于要求最高的高效率转换器。
意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(So...