TPH3208LDG

Name: TPH3208LDG
Brand: 特朗斯峰 (Transphorm)
SKU: 7132978-TPH3208LDG
Price: 78.295749 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc）最大功耗: 96W（Tc）供应商设备包装: 3-PFN（8x8）工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 特朗斯峰 (Transphorm)
交期:5-7 工作日

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起订量: 1

数量	单价	合计
1+	78.29574	78.29574
10+	70.69794	706.97947
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规格参数

长（英寸） -
场效应管类型 n通道
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
漏源电流 (Id) @ 温度 20A（Tc）
最大栅源极电压 (Vgs) ±18V
漏源电压标 (Vdss) 650 V
制造厂商特朗斯峰 (Transphorm)
技术氮化镓
最大功耗 96W（Tc）
供应商设备包装 3-PFN（8x8）
包装/外壳 3-电源DFN
部件状态过时的
导通电阻 Rds(ON) 130毫欧姆@13A，8V
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.6V@300A.
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 14 nC@8 V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 760 pF @ 400 V
色彩/颜色 -

TPH3208LDG 产品详情

TPH3205WSBQA 650V 49mΩ氮化镓（GaN）FET是一种常关器件。该设备还通过了汽车电子委员会的汽车认证�AEC-Q101汽车级分立半导体应力测试。Transphorm GaN FET通过更低的栅极电荷、更快的开关速度和更小的反向恢复电荷提供了更好的效率，与传统硅（Si）器件相比具有显著优势。TPH3205WSBQA以行业标准3导联TO-247提供，具有通用源封装配置。

TPH3208LDG 相关器件

型号	制造商	描述	价格
TPH100810	阿西亚·布朗·勃法瑞 (ABB Power )	TPH100810	¥3.25931
TPH080808	阿西亚·布朗·勃法瑞 (ABB Power )	TPH080808	¥3.18688
TPHCS800-EAV	伊顿巴斯曼 (Eaton)	FUSE HLDR BLADE	¥4,284.65519
TPHCS250-EAV	伊顿巴斯曼 (Eaton)	FUSE HLDR BLADE	¥4,089.86645
TPHCS250-MAV	伊顿巴斯曼 (Eaton)	FUSE HLDR BLADE	¥4,089.86645
TPHCS800-MAV	伊顿巴斯曼 (Eaton)	FUSE HLDR BLADE	¥4,089.86645
TPHCS-B-MAV	伊顿巴斯曼 (Eaton)	BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH	¥3,498.34786
TPHCS-B-EAV	伊顿巴斯曼 (Eaton)	BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH	¥3,731.43344
TPHCA	欧姆龙 (Omron)	ACCESSORY CAMERA BASES FOR TH	¥4.50604
TPH8R008NH,L1Q(M	东芝 (Toshiba)	暂无	¥6.93624

TPH3208LDG所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，TPH3208LDG 由特朗斯峰 (Transphorm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。TPH3208LDG价格参考￥78.295749，你可以下载 TPH3208LDG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询TPH3208LDG规格参数、现货库存、封装信息等信息！