SQ4005EY-T1_GE3

规格参数

• 宽（英寸） -
• 部件状态 可供货
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 场效应管特性 -
• 安装类别 表面安装
• 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、4.5伏
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 38 nC @ 4.5 V
• 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
• 场效应管类型 P-通道
• 漏源电压标 (Vdss) 12伏
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
• 供应商设备包装 8-SOIC
• 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
• 漏源电流 (Id) @ 温度 15A（Tc）
• 导通电阻 Rds(ON) 22毫欧姆@13.5A，4.5V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3600 pF @ 6 V
• 最大功耗 6W (Tc)