9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7106DN-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7106DN-T1-E3参考价格为1.64000美元。Vishay Siliconix SI7106DN-T1-E3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK11212-8。您可以下载SI7106DN-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7104DN-T1-E3是MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8，包括SI71xxDx系列，它们设计用于卷盘封装，数据表中显示了SI7104ND-E3中使用的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于TrenchFET/PPAK，以及PowerPAK-1212-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件以单配置提供，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为3.8 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为20 ns 11 ns，Vgs栅源电压为12 V，Id连续漏极电流为26.1A，Vds漏极-源极击穿电压为12V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.7mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为33ns 36ns，典型接通延迟时间为20ns 12ns，沟道模式为增强。
SI7104DN-T1-GE3是MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在12 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表注释中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，其提供了晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si以及SI71xxDx系列中工作，该器件也可以用作3.7mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为3.8 W，该器件以SI7104DN-GE3零件别名提供，该器件具有一个包装卷，包装盒为PowerPAK-1212-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，并且Id连续漏极电流为26.1A，并且配置为单一。
SI7102DN-TI-GE3，带有VISHAY制造的电路图。SI7102DN-TI-GE3采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
