9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7423DN-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7423DN-T1-E3价格参考1.67000美元。Vishay Siliconix SI7423DN-T1-E3封装/规格：MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK1212-8。您可以下载SI7423DN-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7421DN-T1-E3是MOSFET P-CH 30V 6.4A 1212-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI7421DN-E3的零件别名，该SI7421DN E3提供了SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR 1212-8以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的PowerPAKR 1212-8，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为1.5W，晶体管类型为1 P通道，漏极到源极电压Vdss为30V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为6.4A（Ta），最大Id Vgs的Rds为25 mOhm@9.8A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为40nC@10V，Pd功耗为1.5 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为13纳秒，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为6.4A，Vds漏极-源极击穿电压为-30V，Rds导通漏极-漏极电阻为25mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为57ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
SI7421DN，带有SI制造的用户指南。SI7421DN可在QFN1212-8封装中获得，是FET的一部分-单个。
SI7423DN，带有SI制造的电路图。SI7423DN可在QFN1212-8封装中获得，是FET的一部分-单个。
