9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQM70060EL_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQM70060EL_GE3参考价格$2.80000。Vishay Siliconix SQM70060EL_GE3封装/规格：MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK。您可以下载SQM70060EL_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SQM120P04-04L-GE3，带有引脚细节，包括SQ系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.068654盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及to-263-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，通道数为1通道，该器件为1 P通道晶体管类型，其最大工作温度范围为+175 C，Vds漏极-源极击穿电压为-40 V，晶体管极性为P通道。
SQM120P04-04L_GE3和用户指南，包括-40 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计用于P沟道晶体管极性，产品名称显示在数据表注释中，用于提供Si等技术特性的TrenchFET，该系列设计用于SQ系列以及卷筒包装，其最大工作温度范围为+175 C。
带电路图的SQM120N10-09_GE3，其最大工作温度范围为+175 C，它们设计用于卷盘封装，该系列显示在数据表注释中，用于SQ系列，该系列提供Si等技术特性，商品名设计用于TrenchFET，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作100V Vds漏极-源极击穿电压。
SQM120N10-09-GE3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SQM120N10-09-GE3采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
