9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRL530PBF,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。IRL530PBF价格参考1.77000美元。Vishay Siliconix IRL530PBF封装/规格:MOSFET N-CH 100V 15A TO220AB。您可以下载IRL530PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRL530NSTRRPBF是MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK,包括卷轴封装,它们设计用于0.079014盎司单位重量的操作,安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,该SMD/SMT提供封装盒功能,如D2PAK-3,技术设计用于Si,以及1通道数量的通道,该设备也可以用作单配置。此外,晶体管类型为1 N沟道,器件提供3.8 W Pd功耗,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为26 ns,上升时间为53 ns,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为17 A,Vds漏极-源极击穿电压为100V,Vgs栅极-源极阈值电压为1V至2V,Rds导通漏极-漏极电阻为150m欧姆,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为30ns,典型接通延迟时间为7.2ns,Qg栅极电荷为22.7nC,正向跨导最小值为7.7S,并且信道模式是增强。
IRL530NSTRLPBF是MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK,包括20 V Vgs栅极-源极电压,它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作,单位重量显示在数据表注释中,用于0.13932盎司,提供晶体管类型功能,如1 N沟道,晶体管极性设计为在N沟道工作,以及Si技术,该器件也可以用作150毫欧姆Rds漏极-源极电阻。此外,Qg栅极电荷为22.7nC,该器件提供3.8 W Pd功耗,该器件具有一个封装卷轴,封装盒为TO-252-3,通道数为1通道,安装类型为SMD/SMT,Id连续漏电流为17A。
IRL530NSTRPBF,带有由IR制造的电路图。IRL530INSTRPBF采用TO-263封装,是IC芯片的一部分。