9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SISA18ADN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SISA18ADN-T1-GE3参考价格为0.67000美元。Vishay Siliconix SISA18ADN-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8。您可以下载SISA18ADN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SISA14DN-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8，包括SISAxxDN系列，它们设计为使用卷筒包装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供TrenchFET等商标功能，包装盒设计为在PowerPAK-1212-8以及Si技术中工作，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有26.5 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为9 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为-16 V+20 V，并且Id连续漏极电流为20A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.1V，Rds导通漏极-漏极电阻为5.1mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为18ns，典型导通延迟时间为15ns，Qg栅极电荷为19.4nC，并且前向跨导Min为65S，并且信道模式为增强。
SISA16DN-T1-GE3带有用户指南，包括Si技术，它们设计用于卷筒包装。
SISA12DN-T1-GE3是由VISHAY制造的MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8。SISA12DN-T1-GE3在PowerPAK®1212-8封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8。
SISA12JN-T1-GE3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SISA12JN-T1-GE3采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
