9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA429DJT-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA429DJT-T1-GE3参考价格为0.65000美元。Vishay Siliconix SIA429DJT-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6。您可以下载SIA429DJT-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIA426DJ-T1-GE3是MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SIA426DJ-GE3的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR SC-70-6以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有PowerPAKR SC-70-6单供应商器件封装，配置为单四漏双源，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为19W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为1020pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为4.5A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为23.6 mOhm@9.9A，10V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为27nC@10V、Pd功耗为3.5W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为11纳秒，上升时间为11 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为4.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Rds漏极源极电阻为23.6毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为27纳秒，典型的开启延迟时间为12ns，信道模式为增强。
SIA427DJ-T1-GE3是MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6，包括5 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-8 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。晶体管类型如数据表注释所示，用于1 P沟道，提供晶体管极性特性，如P沟道，该器件也可以用作13毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为33 nC，该器件提供3.5 W Pd功耗，该器件具有零件别名的SIA427DJ-GE3，封装为卷轴，封装外壳为PowerPAK-SC-70-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏极电流为-12A，正向跨导最小值为37S，配置为Single。
SIA426DJ，带有VISHAY制造的电路图。SIA426DJ采用PowerPAK-SC-70-6L-单封装，是FET-单封装的一部分。
