SI3493DDV-T1-GE3
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 3.6W (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 2.96958 | 2.96958 |
10+ | 2.37567 | 23.75671 |
100+ | 1.61878 | 161.87880 |
500+ | 1.21420 | 607.10000 |
1000+ | 0.91065 | 910.65000 |
3000+ | 0.83474 | 2504.23200 |
6000+ | 0.78418 | 4705.13400 |
- 库存: 0
- 单价: ¥2.96959
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.97
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规格参数
- 长(英寸) -
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 安装类别 表面安装
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
- 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 场效应管类型 P-通道
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.8伏、4.5伏
- 供应商设备包装 6-TSOP
- 漏源电流 (Id) @ 温度 8A (Tc)
- 包装/外壳 SOT-23-6薄型,TSOT-23-6
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 30 nC @ 4.5 V
- 导通电阻 Rds(ON) 24欧姆@7.5A,4.5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1825 pF@10 V
- 最大功耗 3.6W (Tc)
- 色彩/颜色 银
SI3493DDV-T1-GE3 产品详情
P沟道MOSFET,TrenchFET Gen IV,Vishay半导体
SI3493DDV-T1-GE3所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SI3493DDV-T1-GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SI3493DDV-T1-GE3价格参考¥2.969589,你可以下载 SI3493DDV-T1-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SI3493DDV-T1-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息!
黑森尔 (Vishay Siliconix)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...