9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQJ479EP-T1_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQJ479EP-T1_GE3价格参考1.29000美元。Vishay Siliconix SQJ479EP-T1_GE3封装/规格：MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8。您可以下载SQJ479EP-T1_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQJ402EP-T1_GE3带有引脚细节，包括SQ系列，它们设计用于卷筒包装，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供TrenchFET等商标功能，包装盒设计用于SO-8L-4以及Si技术，该设备也可以用作单配置。此外，Pd功耗为83 W，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为7 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为32 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，并且Rds导通漏极-源极电阻为11mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为27ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为34nC。
SQJ401EP-T1_GE3和用户指南，包括-12V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计用于P沟道晶体管极性，产品名称显示在数据表注释中，用于提供Si等技术特性的TrenchFET，该系列设计用于SQ系列以及卷筒包装，其最大工作温度范围为+175 C。
带电路图的SQJ403EEP-T1_GE3，其最大工作温度范围为+175 C，它们设计用于卷盘封装，该系列显示在数据表注释中，用于SQ系列，该系列提供Si等技术特性，商品名设计用于TrenchFET，以及P沟道晶体管极性，该器件还可以用作-30 V Vds漏极-源极击穿电压。
SQJ401EP-T1-GE3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SQJ401EP-T1-GE3采用SO-8L封装，是IC芯片的一部分。
