9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1469DH-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1469DH-T1-E3参考价格为0.66000美元。Vishay Siliconix SI1469DH-T1-E3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6。您可以下载SI1469DH-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SI1469DH-T1-E3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI1467DH-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6，包括卷筒包装，它们设计为与SI1405BDH-T1-GE3 SI1405DL-T1-GE3零件别名一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000265盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，包装箱设计为在SOT-363-6以及Si技术中工作，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有2.78 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为43 ns，上升时间为43纳秒，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为2.7 a，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为150m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为36ns，典型接通延迟时间为16ns，Qg栅极电荷为9nC，正向跨导最小值为7S，沟道模式为增强。
SI1467DH-T1-E3是MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6，包括8 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000265盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如16 ns，典型的关闭延迟时间设计为36 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件以43 ns上升时间提供，器件具有150 mOhm的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为9 nC，Pd功耗为2.78 W，零件别名为SI1467DH-E3，封装为卷轴，封装盒为SOT-363-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为2.7 A，正向跨导最小值为7 S，下降时间为43 ns，配置为单一，信道模式为增强。
SI1450DH-T1-E3是Vishay制造的MOSFET N-CH 8V 4.53A SC70-6。SI1450DH-T1-E3以6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装形式提供，是IC芯片的一部分，并支持MOSFET N-CH 8V 4.53A SC70-6、N沟道8V 4.53B（Ta）、6.04A（Tc）1.56W（Ta）和2.78W（Tc）表面安装SC-70-6（SOT-363）。
