9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA440DJ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA440DJ-T1-GE3参考价格为0.50000美元。Vishay Siliconix SIA440DJ-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6。您可以下载SIA440DJ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIA433EDJ-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，数据表注释中显示了用于SIA433EDJ GE3的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计用于PowerPAKR SC-70-6以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有PowerPAKR SC-70-6单一供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为19W，晶体管类型为1 P通道，漏极到源极电压Vdss为20V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为12A（Tc），最大Id Vgs的Rds为18 mOhm@7.6A，4.5V，Vgs的最大Id为1.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为75nC@8V，Pd功耗为19W，下降时间为3.2us，上升时间为1.7us，Vgs栅源电压为12V，Id连续漏极电流为-12A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅极-源极阈值电压为-1.2V，Rds导通漏极-漏极电阻为18m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为6us，典型接通延迟时间为0.71us，Qg栅极电荷为50nC，正向跨导最小值为35S。
SIA437DJ-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 29.7A SC70-6，包括900mV@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在-0.9 V Vgs th栅极-源极阈值电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-20 V，提供典型的开启延迟时间功能，如20 ns，典型的关闭延迟时间设计为100 ns，该器件还可以用作Si技术。此外，供应商设备包为PowerPAKR SC-70-6 Single，该设备为TrenchFETR系列，该设备具有22 ns的上升时间，Rds On Max Id Vgs为14.5 mOhm@8A，4.5V，Rds On漏极-源极电阻为14.5 mOhm，Qg栅极电荷为60 nC，功率最大值为19W，Pd功耗为3.5 W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为PowerPAKR SC-70-6，工作温度范围为-50°C~150°C（TJ），安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-50 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Cis-Vds为2340pF@10V，Id连续漏极电流为-12.6 A，栅极电荷Qg Vgs为90nC@8V，正向跨导最小值为32S，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为37ns，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为29.7A（Tc），沟道模式为增强型。
SIA436DJ-T1-GE3是MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6L，包括单一配置，它们设计用于在12A（Tc）电流连续漏极Id 25°C下工作，漏极到源极电压Vdss如数据表注释所示，用于8V，提供FET功能，如标准，FET类型设计用于MOSFET N沟道、金属氧化物以及25.2nC@5V栅极电荷Qg Vgs，该器件也可以用作12A Id连续漏电流。此外，输入电容Ciss Vds为1508pF@4V，该器件为表面安装型，该器件具有安装型SMD/SMT，通道数为1通道，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），封装盒为PowerPAKR SC-70-6，封装为Digi-ReelR交替封装，零件别名为SIA436DJ-GE3，Pd功耗为19W，功率最大值为19W；Rds漏极-源极电阻为36mOhm，Rds最大Id Vgs为9.4mOhm@15.7A，4.5V，系列为TrenchFETR，供应商器件封装为PowerPAKR SC-70-6 Single，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，Vds漏极源极击穿电压为8V，Vgs栅源电压为5V，Vgs th最大Id为800mV@250μA。
SIA438EDJ-T1-GE3是MOSFET 20V 6.0A 11.4W 46mohm@4.5V，包括SMD/SMT安装类型，它们设计用于单四漏极三源极配置。数据表注释中显示了用于SIA438EDJ GE3的零件别名，该产品提供Si等技术特性，封装设计用于卷筒，以及PowerPAK-SC-70-6封装盒，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，信道模式为增强型，该器件提供5.7 A Id的连续漏极电流，该器件具有46 mOhms的Rds导通漏极-源极电阻，Vds漏极-电源击穿电压为20 V，Pd功耗为2.4 W，典型关断延迟时间为18 ns 15 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，下降时间为12 ns 10 ns，上升时间为12纳秒，典型的导通延迟时间为10 ns 5 ns，晶体管类型为1 P沟道，沟道数为1沟道，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C。
