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NVR4003NT3G

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Ta) 最大功耗: 690mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 0.62144 0.62144
  • 库存: 179
  • 单价: ¥0.62144
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥0.62
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 1.15 nC@5 V
  • 供应商设备包装 SOT-23-3 (TO-236)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.4V@250A.
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 500毫安 (Ta)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.5伏、4伏
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.5欧姆@10毫安,4V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 21 pF @ 5 V
  • 最大功耗 690mW (Ta)
  • 色彩/颜色 -

NVR4003NT3G 产品详情

•低栅极电压阈值(VGS(TH)),以促进驱动电路设计
•快速切换的低栅极电荷
•ESD保护门
•SOT−23封装提供优异的热性能
•最小击穿电压额定值为30 V
•汽车和其他应用的NVR前缀需要独特的现场和控制变更要求;AEC−Q101合格和PPAP能力
•这些设备不含铅,符合RoHS标准

特色

  • ESD保护门
  • 用于快速开关的低栅极电荷
  • 最小击穿电压额定值为30 V
  • SOT-23封装提供优异的热性能
  • 符合RoHS
  • 低栅极电压阈值(VGS(TH))促进驱动电路设计
  • AEC-Q101合格和PPAP能力

应用

  • 移位器
  • 逻辑开关
  • 低压侧负载开关
  • 便携式应用程序
  • 笔记本


(图片:引出线)

NVR4003NT3G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NVR4003NT3G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NVR4003NT3G价格参考¥0.621441,你可以下载 NVR4003NT3G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NVR4003NT3G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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