9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN2600UFB-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN2600UFB-7参考价格0.39000美元。Diodes Incorporated DMN2600UFB-7封装/规格：MOSFET N-CH 25V 1.3A 3DFN。您可以下载DMN2600UFB-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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带有引脚细节的DMN2550UFA-7B，包括DMN25系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如X2-DFN0806-3，技术设计用于Si，以及1信道数的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供360 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为36 ns，上升时间为11 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为600 mA，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs栅极-源极阈值电压为1V，Rds导通漏极-漏极电阻为450m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为105ns，典型接通延迟时间为7.1ns，Qg栅极电荷为0.88nC，沟道模式为增强。
DMN2501UFB4-7是MOSFET MOSFET BVDSS:8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 3K，包括20 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为与1 N沟道晶体管类型一起工作，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，系列设计用于DMN25，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为X2-DFN1006-3，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有安装型SMD/SMT，Id连续漏电流为1A。
带有电路图的DMN25D0UFA-7B，包括1个通道数量的通道，它们设计用于卷盘封装，系列如数据表注释所示，用于提供Si等技术特性的DMN25，晶体管极性设计用于N通道以及1个N通道晶体管类型。
