9icnet为您提供Diodes Incorporated设计和生产的DMN6040SVT-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN6040SVT-7参考价格为0.57000美元。Diodes Incorporated DMN6040SVT-7封装/规格：MOSFET N CH 60V 5A TSOT26。您可以下载DMN6040SVT-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN6040SSDQ-13是MOSFET N-CH 60V 5.0A SO-8，包括DMN6040系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，数据表注释中显示了用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的封装盒，该封装盒提供Si等技术特性，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），以及表面安装安装类型，该器件也可以用作2信道数的信道。此外，供应商器件封装为8-SO，该器件提供2 N信道（双）FET型，该器件的最大功率为1.3W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为1287pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为5A（Ta），Rds On Max Id Vgs为40mOhm@4.5A，10V，Vgs th Max Id为3V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为22.4nC@10V，晶体管极性为N沟道。
DMN6040SSS-13是MOSFET MOSFET BVDSS:41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5K，包括60 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.002610盎司单位重量下工作。晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为SO-8，器件采用SMD/SMT安装方式，器件具有5.5 a的Id连续漏电流。
DMN6040SSS，电路图由DIODES制造。DMN6040SSS在SO-8封装中提供，是FET的一部分-单个。
