9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN2004K-7,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN2004K-7参考价格为0.41000美元。Diodes Incorporated DMN2004K-7封装/规格:MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3。您可以下载DMN2004K-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN2004DWK-7是MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363,包括DMN2004系列,它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.000212盎司,提供SMD/SMT等安装类型功能,包装箱设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363,以及Si技术,其工作温度范围为-65°C~150°C(TJ)。此外,安装类型为表面安装,该器件提供2通道数量的通道,该器件具有供应商器件封装的SOT-363,配置为双通道,FET类型为2 N通道(双通道),最大功率为200mW,晶体管类型为2 N-通道,漏极至源极电压Vdss为20V,输入电容Cis-Vds为150pF@16V,FET特性为逻辑电平门,25°C的电流连续漏极Id为540mA,最大Id Vgs上的Rds为550mOhm@540mA,4.5V,Vgs最大Id为1V@250μA,Pd功耗为200mW,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-65 C,Vgs栅源电压为8 V,Id连续漏极电流为540mA,Vds漏极-源极击穿电压为20V,Rds漏极源极电阻为550mOhms,晶体管极性为N沟道,沟道模式为增强型。
DMN2004DWK,带有DIODES制造的用户指南。DMN2004DWK在SOT363封装中提供,是FET阵列的一部分。
DMN2004DWK-7-F,电路图由DIODES制造。DMN2004DWK-7-F采用SOT-363封装,是IC芯片的一部分。