9icnet为您提供Diodes Incorporated设计和生产的DMN2005LPK-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN2005LPK-7参考价格为0.51000美元。Diodes Incorporated DMN2005LPK-7封装/规格：MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN。您可以下载DMN2005LPK-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，例如DMN2005LPK-7价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
DMN2005LP4K-7是MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN，包括DMN2005系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如3-XFDFN，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-65°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在X2-DFN1006-3供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为200mW，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为41pF@3V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为200mA（Ta），最大Id Vgs上的Rds为1.5 Ohm@10mA，4V，Vgs最大Id为900mV@100μA，Pd功耗为400mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vgs栅源电压为10 V，Id连续漏极电流为200 mA，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs栅极-源极阈值电压为0.9V，Rds导通漏极-漏极电阻为650mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为13.7ns，典型接通延迟时间为4.06ns，正向跨导最小值为40mS，沟道模式为增强。
DMN2005K-7是MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3，包括900mV@100μA Vgs th Max Id，它们设计用于10 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于20 V，具有0.000282 oz等单位重量特性，晶体管类型设计用于1 N沟道，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包为SOT-23-3，该设备为DMN2005系列，该设备在200mA时具有1.7欧姆，最大Id Vgs时的Rds为2.7V，漏极源极电阻为1.7欧姆，功率最大值为350mW，Pd功耗为350mW，它的工作温度范围为-65°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围是-65 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为300 mA，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏极Id为300mA（Ta），配置为单一，通道模式为增强。
DMN2005K-7-F，电路图由GP/DIODES制造。DMN2005K-7-F采用SOT23封装，是IC芯片的一部分。
