9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMG6968U-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMG6968U-7参考价格为0.41000美元。Diodes Incorporated DMG6968U-7封装/规格：MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3。您可以下载DMG6968U-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMG6898LSDQ-13带有引脚细节，包括DMG6898系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，数据表注释中显示了用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的封装盒，该封装盒提供Si等技术特性，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），以及表面安装安装类型，该器件也可以用作2信道数的信道。此外，供应商器件封装为8-SO，该器件提供2 N信道（双）FET型，该器件的最大功率为1.28W，晶体管类型为2 N沟道，漏极-源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为1149pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为9.5A，Rds On Max Id Vgs为16 mOhm@9.4A，4.5V，Vgs th Max Id为1.5V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为26nC@10V，晶体管极性为N沟道。
DMG6968LSD-13是MOSFET N-CH 20V VDSS 30A 12V VGSS.81W，包括20 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.000282盎司单位重量下工作。数据表中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，其提供晶体管极性功能，如N沟道，技术设计用于Si，以及DMG6898系列，该器件也可以用作36毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为810 mW，该器件采用卷筒封装，该器件具有SOT-23-3封装盒，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，Id连续漏电流为6.5 a。
DMG6968U，电路图由102K制造。DMG6968U采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
