9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP2045UQ-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP2045UQ-7参考价格为0.53000美元。Diodes Incorporated DMP2045UQ-7封装/规格：MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23。您可以下载DMP2045UQ-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如DMP2045UQ-7价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
DMP2035UVT-7是MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26，包括DMP2035系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SOT-23-6 Thin、TSOT-23-6等封装盒功能，技术设计用于硅，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在TSOT-26供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET P信道、金属氧化物，最大功率为1.2W，晶体管类型为1 P信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为2400pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为6A（Ta），最大Id Vgs的Rds为35mOhm@4A，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为23.1nC@4.5V，Pd功耗为1.2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为42 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为-6A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs第栅极-源阈值电压为-1.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为35mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为94ns，典型导通延迟时间为17ns，Qg栅极电荷为15.4nC，正向跨导Min为18S，信道模式为增强。
DMP2038USS-13和用户指南，包括-1.1 V Vgs第三栅极-源极阈值电压，它们设计为在8 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-20 V，提供0.002610盎司等单位重量功能，典型开启延迟时间设计为13.7 ns，该器件还可以用作1P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件以PowerDI商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为DMP2038，上升时间为14ns，漏极-源极电阻Rds为33mOhm，Qg栅极电荷为14.4nC，Pd功耗为2.5W，封装为Reel，封装盒为SO-8，沟道数为1沟道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为-6.5 A，下降时间为35.5 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
DMP2039UFDE4-7是MOSFET P-CH 25V 7.3A 6DFN，包括7.3 A Id连续漏极电流，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作，数据表注释中显示了用于X2-DFN2020-6的封装盒，该封装盒提供了卷盘、Rds漏极源极电阻等封装功能，设计为工作在70 mOhms，以及DMP2039系列，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为P沟道，器件提供25 V Vds漏极-源极击穿电压。
DMP2039UFDE-7是MOSFET MOSFET BVDSS：25V-30 U-DFN2020-6 T&R 3K，其中包括U-DFN2202-6封装盒，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供了卷轴、晶体管极性等封装功能，该器件也可以用作70毫欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，Id连续漏极电流为6.7 A，该器件提供25 V Vds漏极-源极击穿电压。
