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DMTH10H010LCT

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 108A(Tc) 最大功耗: 2.4W(Ta)、166W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 12.31293 12.31293
10+ 11.08163 110.81637
100+ 8.90949 890.94910
500+ 7.31982 3659.91000
1000+ 6.06506 6065.06000
2000+ 5.70378 11407.56800
  • 库存: 0
  • 单价: ¥12.31293
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥12.31
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 供应商设备包装 TO-220-3
  • 包装/外壳 至220-3
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@250A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 53.7 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2592 pF@50 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 108A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 9.5毫欧姆 @ 13A, 10V
  • 最大功耗 2.4W(Ta)、166W(Tc)

DMTH10H010LCT 产品详情

DMTH10H010LCT所属分类:分立场效应晶体管 (FET),DMTH10H010LCT 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMTH10H010LCT价格参考¥12.312930,你可以下载 DMTH10H010LCT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMTH10H010LCT规格参数、现货库存、封装信息等信息!

达尔科技 (Diodes rporated)

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