9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMG3420U-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMG3420U-7参考价格为0.42000美元。Diodes Incorporated DMG3420U-7封装/规格：MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23-3。您可以下载DMG3420U-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMG3418L-13带有引脚细节，包括DMG3418系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于PowerDI，以及SOT-23-3封装盒，该设备也可作为Si技术使用。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为1.4 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2 ns，上升时间为1.6 ns，Vgs栅源电压为12 V，Id连续漏极电流为4A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为50mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为10.3ns，典型接通延迟时间为1.9ns，Qg栅极电荷为5.5nC，沟道模式为增强。
带有用户指南的DMG3418L-7，包括1.5 V Vgs的栅极-源极阈值电压，它们设计为在12 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供0.000282 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为1.9 ns，以及10.3 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有串联的DMG3418，上升时间为1.6ns，Rds漏极-源极电阻为50mOhms，Qg栅极电荷为5.5nC，Pd功耗为1.4W，封装为卷轴式，封装外壳为SOT-23-3，通道数为1沟道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为4 A，下降时间为2 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
DMG3420U，电路图由129K制造。DMG3420U采用SOT-23封装，是FET的一部分-单个。
