9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP2123L-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP2123L-7参考价格为0.47000美元。Diodes Incorporated DMP2123L-7封装/规格：MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3。您可以下载DMP2123L-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMP210DUFB4-7是MOSFET P-CH 20V 0.2A X2-DFN1006，包括DMP210系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如3-XFDFN，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在X2-DFN1006-3供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET P信道、金属氧化物，最大功率为350mW，晶体管类型为1 P信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为175pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为200mA（Ta），最大Id Vgs上的Rds为5 Ohm@100mA，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，Pd功耗为350 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为31.5 ns，上升时间为19.3 ns，Vgs栅源电压为10 V，并且Id连续漏极电流为-200 mA，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Vgs栅极-源极阈值电压为-1 V，Rds漏极源极电阻为15欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为25.9 ns，典型接通延迟时间为7.7 ns，沟道模式为增强。
DMP210DUFB4-7B是MOSFET P-CH 20V 0.2A X2-DFN1006，包括-1V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在10VVgs栅极源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-20 V，提供典型的开启延迟时间功能，如7.7 ns，典型的关闭延迟时间设计为25.9 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为DMP210系列，该器件的上升时间为19.3ns，漏极电阻Rds为15欧姆，Pd功耗为350 mW，封装为卷轴式，封装外壳为X2-DFN1006-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为-200 mA，下降时间为31.5 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
DMP2123L，电路图由DIODES制造。DMP2123L采用SOT-23封装，是FET的一部分-单个。
