9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP2104LP-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP2104LP-7参考价格为0.48000美元。Diodes Incorporated DMP2104LP-7封装/规格：MOSFET P-CH 20V 1.5A 3DFN1411。您可以下载DMP2104LP-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMP2100UCB9-7是MOSFET 2P-CH 20V 3A 9UWLB，包括DMP2100系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如9-UFBGA、WLBGA，技术设计用于硅，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在U-WLB1515-9供应商设备包中提供，该设备具有2个P信道（双）FET型公共源极，最大功率为800mW，晶体管类型为1个P信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为310pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id为25°C时为3A，Rds最大Id Vgs为100 mOhm@1A，4.5V，Vgs最大Id为900mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为4.2nC@4.5V，Id连续漏极电流为3A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Rds漏极源极电阻为175 mOhm，晶体管极性为P沟道。
DMP2100UFU-13带有用户指南，包括1.4V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于2 P沟道晶体管类型，晶体管极性如数据表注释所示，用于P沟道，提供Si等技术特性，供应商设备包设计用于U-DFN2030-6以及DMP2100系列，该设备也可在3.5A时使用38 mOhm，最大Id Vgs上的10V Rds。此外，最大功率为900mW，该设备采用胶带和卷轴（TR）交替包装包装，该设备具有6-UFDFN封装盒暴露垫，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为2通道，安装类型为表面安装，输入电容Ciss Vds为906pF@10V，栅极电荷Qg Vgs为21.4nC@10V，FET类型为2 P沟道（双），FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为5.7A。
DMP2100UFU-7带有电路图，包括5.7A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在21.4nC@10V下工作以及906pF@10V输入电容Cis Vds，该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数量为2信道，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备具有6-UFDFN封装盒暴露垫，封装为Digi-ReelR交替封装，最大功率为900mW，最大Id Vgs上的Rds为38 mOhm@3.5A，10V，系列为DMP2100，供应商设备封装为U-DFN2030-6，技术为Si，晶体管极性为P沟道，晶体管类型为2P沟道，Vgs th最大Id为1.4V@250μA。
