9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的ZVN4306A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZVN4306A参考价格为1.74000美元。Diodes Incorporated ZVN4306A封装/规格：MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3。您可以下载ZVN4306A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZVN4210GTA是MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223，包括ZVN4210系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SOT-223-3以及Si技术，该器件也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单双漏极，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有2 W的Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为8 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为800mA，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.8欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为4ns，沟道模式为增强。
ZVN4210GTC是由DIODES制造的MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223。ZVN4210GTC在TO-261-4、TO-261AA封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223。
ZVN4306，电路图由DIODES制造。ZVN4306在SOT-223封装中提供，是FET的一部分-单个。
