9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN2075U-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN2075U-7参考价格为0.44000美元。Diodes Incorporated DMN2075U-7封装/规格：MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3。您可以下载DMN2075U-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN2065UW-7是MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323，包括DMN2065系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000212盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于SC-70、SOT-323以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-323，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为430mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为400pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2.8A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为56mOhm@2A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为5.4nC@4.5V，Pd功耗为700mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7.2 ns，上升时间为9.7ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为3.1A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，第Vgs栅极源极阈值电压为1V，Rds导通-源极电阻为140mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为23.8ns，典型导通延迟时间为3.5ns，Qg栅极电荷为5.4nC，正向跨导Min为7S，信道模式为增强。
DMN2050LFDB-7是MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN，包括1V@250μA Vgs th Max Id，设计用于2 N沟道晶体管类型，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，供应商设备包设计用于U-DFN2020-6以及DMN2050系列，该器件还可以用作45 mOhm@5A、4.5V Rds On Max Id Vgs。此外，最大功率为730mW，该器件采用Digi-ReelR交替封装封装，该器件具有6-UDFN封装盒暴露垫，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为表面安装，输入电容Cis-Vds为389pF@10V，栅极电荷Qg-Vgs为12nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为3.3A。
DMN2075U，电路图由DIODES制造。DMN2075U采用SOT-23封装，是FET的一部分-单个。
