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ZXMP10A18KTC

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.8A (Ta) 最大功耗: 2.17W(Ta) 供应商设备包装: TO-252-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 11.22649 11.22649
10+ 10.03865 100.38659
100+ 7.82667 782.66780
500+ 6.46530 3232.65100
1000+ 5.10421 5104.21600
2500+ 4.76394 11909.86250
5000+ 4.64016 23200.82000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥11.22650
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥11.23
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 6V, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管类型 P-通道
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 供应商设备包装 TO-252-3
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3.8A (Ta)
  • 最大功耗 2.17W(Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 150毫欧姆@2.8A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1055 pF@50 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 26.9 nC@10 V
  • 色彩/颜色 -

ZXMP10A18KTC 产品详情

Zetex的新一代沟槽MOSFET具有独特的结构,结合了低导通电阻和快速开关的优点,是高效电源管理应用的理想选择。

特色


•导通电阻低
•切换速度快
•低阈值
•低栅极驱动
•DPAK包

ZXMP10A18KTC所属分类:分立场效应晶体管 (FET),ZXMP10A18KTC 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。ZXMP10A18KTC价格参考¥11.226495,你可以下载 ZXMP10A18KTC中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询ZXMP10A18KTC规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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