9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的ZVNL120A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZVNL120A参考价格为0.84000美元。Diodes Incorporated ZVNL120A封装/规格：MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3。您可以下载ZVNL120A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZVNL110ASTZ是MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3，包括ZVNL110系列，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.016000盎司，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计用于E-Line-3，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，器件提供1通道通道数，器件具有供应商器件封装的E线（TO-92兼容），配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为700mW，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为100V，输入电容Ciss Vds为75pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为320mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为3 Ohm@500mA，10V，Vgs最大Id为1.5V@1mA，Pd功耗为700mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为12ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为320mA，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型导通延迟时间为7ns，沟道模式为增强。
ZVNL110GTA是MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223，包括1.5V@1mA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，具有0.000282 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为7 ns，以及15 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的SOT-223，系列为ZVNL110，上升时间为12ns，Rds On Max Id Vgs为3 Ohm@500mA，10V，Rds On漏极-源极电阻为4.5 Ohm，功率最大值为1.1W，Pd功耗为2W，包装为切割胶带（CT）交替包装，包装箱为TO-261-4、TO-261AA，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最小工作温度范围是-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Ciss Vds为75pF@25V，Id连续漏极电流为600mA，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为13ns，漏极到源极电压Vdss为100V，电流连续漏极Id 25°C为600mA（Ta），配置为单双漏极，沟道模式为增强型。
ZVNL12，带有ZETEX制造的电路图。ZVNL12在SOT-223封装中提供，是FET的一部分-单个。
