9icnet为您提供Diodes Incorporated设计和生产的DMN62D1SFB-7B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN62D1SFB-7B参考价格为0.50000美元。Diodes Incorporated DMN62D1SFB-7B封装/规格：MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN。您可以下载DMN62D1SFB-7B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMN62D1LFD-13带有引脚细节，包括DMN62系列，它们设计用于卷筒包装，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装盒功能，如X1-DFN1212-3，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供0.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13.9 ns，上升时间为2.8 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为400 mA，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs第栅极-源极阈值电压为1V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.4欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为21ns，典型接通延迟时间为2.1ns，Qg栅极电荷为0.55nC，沟道模式为增强。
DMN62D1LFD-7和用户指南，包括1 V Vgs第1栅极-源极阈值电压，它们设计用于20 V Vgs栅极-源电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于60 V，提供典型的开启延迟时间功能，如2.1 ns，典型的关闭延迟时间设计为21 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为DMN62系列，该器件的上升时间为2.8 ns，漏极-源极电阻Rds为1.4欧姆，Qg栅极电荷为0.55 nC，Pd功耗为0.5 W，封装为卷轴式，封装盒为X1-DFN1212-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为400 mA，下降时间为13.9 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
带有电路图的DMN62D0UW-7，包括1个通道数量的通道，它们设计用于卷盘封装，系列如数据表注释所示，用于提供Si等技术特性的DMN62D 0U，晶体管极性设计用于N通道以及1个N通道晶体管类型。
