9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的ZVN4306GTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZVN4306GTA参考价格为1.52000美元。Diodes Incorporated ZVN4306GTA封装/规格：MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223。您可以下载ZVN4306GTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZVN4306A是MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3，包括ZVN4306系列，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.016000盎司，提供通孔等安装方式功能，包装盒设计用于to-226-3、to-92-3（to-226AA）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-92-3，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为850mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为350pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为1.1A（Ta），最大Id Vgs的Rds为330 mOhm@3A，10V，Vgs的最大Id为3V@1mA，Pd功耗为850 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为25 ns，上升时间为25纳秒，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为1.1A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为450m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为8ns，沟道模式为增强。
ZVN4306AV是MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3，包括3V@1mA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60 V，具有0.016000 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为8 ns，以及30 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的TO-92-3，系列为ZVN4306，上升时间为25 ns，Rds On Max Id Vgs为330 mOhm@3A，10V，Rds On漏极-源极电阻为450 mOhm，功率最大值为850mW，Pd功耗为850 mW，封装为散装，封装外壳为TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA），其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为1通道，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其最小工作温度范围是-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Cis-Vds为350pF@25V，Id连续漏极电流为1.1A，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为25ns，漏极到源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为1.1A（Ta），配置为单沟道，沟道模式为增强型。
ZVN4306G，带有ZETEX制造的电路图。ZVN4306G采用SOT-223封装，是FET的一部分-单个。
