9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMP4A57E6TA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMP4A57E6TA参考价格为0.70000美元。Diodes Incorporated ZXMP4A57E6TA封装/规格：MOSFET P-CH 40V 2.9A SOT26。您可以下载ZXMP4A57E6TA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMP4A16KTC是MOSFET P-CH 40V 6.6A DPAK，包括ZXMP4系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如to-252-3、DPAK（2引线+标签）、SC-63。技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在TO-252-3供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET P信道，金属氧化物，最大功率为2.15W，晶体管类型为1 P信道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为965pF@220V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为6.6A（Ta），最大Id Vgs的Rds为60 mOhm@3.8A，10V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为29.6nC@10V，Pd功耗为9.5 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为17.1 ns，上升时间为6 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为9.9A，Vds漏极-源极击穿电压为-40V，Vgs第th栅极-源阈值电压为-1V，Rds导通漏极-漏极电阻为60mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为36.8ns，典型导通延迟时间为4ns，Qg栅极电荷为29.6nC，信道模式为增强。
ZXMP4A16GTC，带有ZETEX/DIOD制造的用户指南。ZXMP4A16GTC采用SOT223封装，是IC芯片的一部分。
ZXMP4A57E6，电路图由DIODES制造。ZXMP4A57E6在SOT-163封装中提供，是FET的一部分-单个。
