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DMN3008SFG-7

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.6A(Ta) 最大功耗: 900mW (Ta) 供应商设备包装: PowerDI3333-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 1.80855 1.80855
100+ 1.48044 148.04490
1000+ 1.40729 1407.29500
  • 库存: 1172
  • 单价: ¥1.80855
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1.81
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-PowerVDFN
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 86 nC @ 10 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.3V@250A.
  • 供应商设备包装 PowerDI3333-8
  • 最大功耗 900mW (Ta)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 17.6A(Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 4.6毫欧姆 @ 13.5A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3690 pF @ 10 V

DMN3008SFG-7 产品详情

Diodes Incorporated DMN3008 30V N沟道增强型MOSFET被设计为最小化导通电阻(RDS(on)),同时保持优异的开关性能。提供小尺寸、热效率高的POWERDI�3333-8机箱,DMN3008支持更高密度的终端产品。DMN3008符合AEC-Q101高可靠性标准,是高效电源管理应用的理想选择,如背光、电源管理功能和DC-DC转换器。
DMN3008SFG-7所属分类:分立场效应晶体管 (FET),DMN3008SFG-7 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMN3008SFG-7价格参考¥1.808552,你可以下载 DMN3008SFG-7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMN3008SFG-7规格参数、现货库存、封装信息等信息!

达尔科技 (Diodes rporated)

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