9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的BS170P，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BS170P参考价格为0.87000美元。Diodes Incorporated BS170P封装/规格：MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3。您可以下载BS170P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BS170FTA是MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3，包括BS170F系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为330mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为60pF@10V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为150mA（Ta），最大Id Vgs上的Rds为5 Ohm@200mA，10V，Vgs最大Id为3V@1mA，Pd功耗为330 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为150uA，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-电源电阻为5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为10ns，典型接通延迟时间为10 ns，沟道模式为增强。
BS170G是ON公司制造的MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92。BS170G提供TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH60V 500MATO-92、Trans MOSFET N-CH20V 0.5A 3引脚TO-92盒。
BS170KL，带有VISHAY制造的电路图。BS170KL采用TO-92封装，是IC芯片的一部分。
