9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF9Z20PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF9Z20PBF价格参考2.00000美元。Vishay Siliconix IRF9Z20PBF封装/规格：MOSFET P-CH 50V 9.7A TO220AB。您可以下载IRF9Z20PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF9Z14SPBF是MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK，包括管封装，它们设计为以0.050717盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，该器件提供3.7 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为31 ns，上升时间为63 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为6.7 A，Vds漏极-源极击穿电压为-60 V，Rds导通漏极-漏极电阻为500 m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为10 ns，典型接通延迟时间为11 ns，沟道模式为增强。
IRF9Z14S是由IR制造的P沟道60V 6.7A（Tc）3.7W（Ta），43W（Tc）表面贴装D2PAK。IRF9Z14S以TO-263封装形式提供，是IC芯片的一部分，支持P沟道60 V 6.7 A（Tc）3.7W。
IRF9Z14STRRPBF是由IR制造的Trans-MOSFET P-CH Si 60V 6.7A 3-Pin（2+Tab）D2PAK T/R。IRF9Z114STRRPBF可用于TO-263封装，是IC芯片的一部分，并支持Trans-MOSMOSFET P-CH Si60V 6.7A3-Pin（2+Tab）D2PAG T/R。
IRF9Z20是由IR制造的MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB。IRF9Z2以TO-220-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH50V 9.7A-TO-220AA、P沟道50V 9.7V（Tc）40W（Tc）通孔TO-220AC。
