9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFD123PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFD123PBF参考价格为1.45000美元。Vishay Siliconix IRFD123PBF封装/规格：MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP。您可以下载IRFD123PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFD120是MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP，包括管封装，它们设计为通孔安装型，数据表说明中显示了用于HVMDIP-4的封装盒，提供Si等技术特性，通道数设计为在1个通道中工作，以及单双漏极配置，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为27 ns，上升时间为27纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1.3 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Rds漏极源极电阻为270 mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为18ns，典型接通延迟时间为6.8ns，沟道模式为增强。
IRFD120PBF是MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，典型的开启延迟时间如数据表注释所示，用于6.8 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如18 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为27 ns，器件的漏极电阻为270 mOhms Rds，器件具有1.3 W的Pd功耗，封装为管，封装外壳为HVMDIP-4，通道数为1通道，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为1.3A，下降时间为27ns，配置为单双漏，通道模式为增强。
IRFD120PBE，电路图由VHISAY制造。IRFD120PBE采用DIP封装，是IC芯片的一部分。
IRFD123是HAR制造的MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP。IRFD123有4-DIP（0.300“，7.62mm）封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP。
