9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN1019UVT-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN1019UVT-7参考价格为0.49000美元。Diodes Incorporated DMN1019UVT-7封装/规格：MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26。您可以下载DMN1019UVT-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN1019USN-7带有引脚细节，包括DMN1019系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件包的SC-59，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为680mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为12V，输入电容Cis-Vds为2426pF@10V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为9.3A（Ta），最大Id Vgs的Rds为10mOhm@9.7A，4.5V，Vgs的最大Id为800mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为50.6nC@8V，Pd功耗为1.2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为16.8 ns，上升时间为57.6ns，Vgs栅极-源极电压为4.5V，Id连续漏极电流为9.3A，Vds漏极-源极击穿电压为12V，Vgs第th栅极-源阈值电压为0.53V，Rds导通漏极-漏极电阻为41mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22.2ns，典型导通延迟时间为7.6ns，Qg栅极电荷为27.3nC，信道模式为增强。
带用户指南的DMN1019USN-13，包括800mV@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在0.53 V Vgs th栅极-源极阈值电压下工作，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于8 V，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，如12 V，单位重量设计为在0.000282 oz下工作，以及7.6 ns典型开启延迟时间，该装置也可以用作22.2ns典型关断延迟时间。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有Si of Technology，供应商器件封装为SC-59，系列为DMN10，上升时间为57.6 ns，Rds On Max Id Vgs为10 mOhm@9.7A，4.5V，Rds On Drain Source Resistance为41 mOhm，Qg Gate Charge为50.6 nC，Power Max为680mW，Pd功耗为1.2W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围是-55°C，其最大工作温度范围为+150 C，输入电容Cis-Vds为2426pF@10V，Id连续漏极电流为9.3 A，栅极电荷Qg-Vgs为50.6nC@8V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为16.8 ns，漏极到源极电压Vdss为12V，电流连续漏极Id 25°C为9.3A（Ta），并且配置是单一的，并且信道模式是增强的。
带有电路图的DMN1019UVT-13，包括1个通道数量的通道，它们设计用于卷盘封装，系列如数据表注释所示，用于DMN1019，提供Si等技术特性，晶体管极性设计用于N通道以及1个N通道晶体管类型。
