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DMN2028UFDF-7

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.9A (Ta) 最大功耗: 660mW (Ta) 供应商设备包装: U-DFN2020-6 (Type F) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.91116 3.91116
10+ 3.14341 31.43419
100+ 2.14172 214.17260
500+ 1.60618 803.09300
1000+ 1.20463 1204.63900
3000+ 1.10425 3312.75900
6000+ 1.03732 6223.96800
  • 库存: 0
  • 单价: ¥3.91117
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.91
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.5伏、4.5伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
  • 包装/外壳 6-UDFN Exposed Pad
  • 导通电阻 Rds(ON) 25欧姆@4A,4.5V
  • 供应商设备包装 U-DFN2020-6 (Type F)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 7.9A (Ta)
  • 最大功耗 660mW (Ta)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 18 nC@8 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 907 pF @ 10 V
  • 材质 -

DMN2028UFDF-7 产品详情

DMN2028UFDF-7所属分类:分立场效应晶体管 (FET),DMN2028UFDF-7 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMN2028UFDF-7价格参考¥3.911166,你可以下载 DMN2028UFDF-7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMN2028UFDF-7规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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